返回上一页 发布人:patent
我要发布信息
| 薄膜晶体管(TFT)介绍薄膜晶体管物理与技术 | 发布于:2014/10/23 | |
| 薄膜晶体管（TFT）是场效应晶体管的一种。人类对薄膜晶体管的研究工作已经有很长的历史。1962年Weimer用多晶 CaS 薄膜做成了薄膜晶体管。薄膜晶体管通常是在基板上沉积各种不同的薄膜制作而成，这些薄膜包括半导体主动层、介电层和金属电极层。薄膜晶体管对显示器工作性能的提升具有十分重要的作用。近年来，由于低费用、大阵列显示的需求薄膜晶体管的研究广为兴起。 本书概览了大量电子工业领域人员感兴趣的主流薄膜晶体管的原理、应用和技术，并基于制备材料对不同种类的薄膜晶体管进行了详细的介绍，如氢化非晶硅、多晶硅、透明非晶氧化物半导体和有机半导体薄膜晶体管。全书共12章：1.引言；第1部分 背景，包含第2-4章：2.薄膜晶体管的半导体器件物理；3.绝缘栅场效应晶体管；4.有源矩阵平板显示器。第2部分 薄膜晶体管，包括第5-10章：5.氢化非晶硅薄膜晶体管技术与构架；6.氢化非晶硅薄膜晶体管性能；7.多晶硅薄膜晶体管技术与构架；8.多晶硅薄膜晶体管性能；9.透明非晶氧化物半导体薄膜晶体管；10.有机薄膜晶体管。第3部分 新型衬底和器件，含第11-12章：11.柔性基底薄膜晶体管；12.源门控晶体管。 本书涵盖了薄膜晶体管所有主要的技术，是大面积显示电子行业的科学家和工程师、从事薄膜晶体管研究的学生与科学家的重要参考书，也可做为本科和研究生教学参考。 作者Stan.D.Brotherton博士，目前是薄膜晶体管独立顾问，之前是英国飞利浦实验室资深科学家，研究范围包括半导体器件及其相关材料问题，尤其是深度缺陷对硅器件性能的影响；在器件研究方面包括MOSFET和CCD，功率器件及红外成像器件；最近研究主要集中在薄膜晶体管上，并创立了飞利浦多晶硅薄膜晶体管研究计划，同时也在其他一些薄膜晶体管国际组织从事顾问工作。 杜利东，助理研究员 来源：国外科技新书评介 |
||
