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| 超薄体MOSFETs和FinFETS基础 | 发布于:2014/09/08 | |
| 基于计算机与通信网络化的信息技术对芯片的性能提出了更高的要求，希望芯片具有更快的处理速度、更大的数据存储容量和更高的传输速率，经典的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）已经难以满足发展需求。目前，新型CMOS（互补金属氧化物半导体）器件结构以及新的互连工艺技术大大促进了金属——氧化层半导体场效晶体管发展，出现了用SOI（绝缘衬底上的硅）材料的超薄MOSFET器件、应变硅器件、FinFETS（鳍式场效晶体管）、甚至利用硅单晶不同晶向制作器件，推动了信息技术的发展。 本书详述了FD/SOI MOSFETs和3D FinFET，内容涵盖了短沟道效应，量子效应和UTB器件的应用（浮体DRAM和传统SRAM），提供纳米FinFET器件和纳米薄/厚盒平面FD/ SOI MOSFET设计标准，预测了纳米级UTBCMOS潜在的性能。本书内容包括4章：1.引言；2.UTBMOSFETs的特征；3.平面全耗尽SOIMOSFETs国；4.FinFET。 本书详述了下一代两个主流半导体工业器件UTBMOSFET和FinFET的理论、设计和应用，每章后面有练习题，适合一年级研究生以及高年级本科生作为教材使用，同时也适合COMS领域专业工程师参考。 作者Jerry G.Fossum是佛罗里达大学电气和计算机工程系特聘名誉教授，IEEE院士，主要研究领域是纳米COMS器件以及硅基太阳能电池。 杜利东，助理研究员 （中国科学院电子学研究所） Du Lidong，Assistant Professor （Institute of Electronics， CAS）来源：国外科技新书评介 |
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